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[已经举行的研讨会]  相变存储器可靠性详解
 
[研讨会简介]  相变存储器的存储单元是由化合物存储单元和选通晶体管两部分共同组成。由于这一特殊结构，相变存储器在数据保持方面具有与擦写次数的不相关性，而与环境温度相关的特性。在写入次数方面，10~100倍于今天的NOR和NAND型的存储器。同时具有对读取和写入干扰的免疫性。
在本次网络研讨会中，我们通过实验数据和理论分析，向您介绍相变存储器的可靠性知识，带领您深入了解这一存储技术，帮助您更好的评估PCM对系统设计的影响。
 
 
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