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Micron

内容介绍:相变存储器是指一类基于相变材料存储信息的非易失存储器。相变存储器利用相变材料在两种状态下电阻值的变化存储信息。融NOR、NAND、RAM和EEPROM四大主流存储技术的优点于一身. 相变存储器提供位可修改、非易失性、高可靠性、向下工艺延展和快速写入等创新特性。
美光将连续举办3场网络研讨会,第一场将简要介绍相变存储器的基本原理、技术特性,以及这项新技术给存储系统带来的好处。接下来的两场研讨会将详细介绍相变存储器的优点和特性。
 
 
FLUKE

内容介绍:大部分产品在研发阶段都需要进行热分析,目前红外热像检测是进行热分析最便捷、高效的方法;但在实际使用时,外壳遮挡、小目标、发射率等问题往往会阻碍红外热像仪拍摄准确、清晰的热图;本次技术交流针对这些难题,提出切实、有效的解决方案,使客户能够准确、快速地进行产品的热分析工作。
 
 
Micron

内容介绍:体积小巧,接口简单,设计容易,串行闪存被用于多个市场。但是,随着应用复杂程度不断提高,为满足新应用的性能要求,存储器亟待提高相关性能。几年来,受限于存储器的总体性能,特别是读写速度,采用串行闪存的应用设计遭遇巨大的挑战。
为了解决这个问题,提高存储器性能,各路存储器厂商纷纷开始研发两位和四位输入输出功能。
除多位输入输出外,恒忆还为客户带来在市场上独一无二的前沿功能,让您的应用设计实现效益最大化。欢迎参加本次在线研讨会,了解如何利用恒忆的非易失性配置寄存器和片内执行(XIP)两大独特功能提高存储器性能。
2010年5月7日,美光科技(Micron Technology,Inc.,)宣布完成对恒忆科技 (Numonyx B.V.)的收购。 Micron 是世界领先的先进半导体解决方案提供商之一。Micron依托全球性运营,制造和销售一系列DRAM、NAND和NOR闪存、以及其他创新存储技术、包装解决方案和和半导体系统,用于前沿计算、消费、联网和移动产品。
 
 
Vishay

内容介绍:Vishay Siliconix 长期专注于工业医疗仪器设备领域的高精度模拟开关产品发展。本次研讨会将主要介绍新开发的系列,它们的应用范围从电池操作的小型便携式仪器至大的工业和医疗仪器和系统。所涉及的产品应用设计电压也从1.8V至44V,包括单电源和双电源设计。我们将探讨产品所针对的应用线路以及模拟开关的选择设计指标如何影响系统的表现,分析模数转换,数据采集,取样保持,及可控增益控制的典型的应用线路。将透过典型的多路复用器的设计及应用测试比较产品参数及其测试条件和实际应用间的关系,该注意的差异。论证Vishay Siliconix产品在开关噪音最小化,降低settling time,提高系统设计精度方面的领先地位。
 
 
Synopsys

内容介绍:全球的HDMI适配器已超过850种,这充分表明HDMI是发展最快的连接接口之一,真正得到了全球用户的广泛认可。随着每次新版规范中创新特性的不断推出,HDMI接口已经融入各种消费电子产品,现正在向移动、PC和汽车应用市场推广。最新的HDMI1.4标准增加了许多有趣的元素,已对整个HDMI生态系统(即消费者、具体应用、多媒体内容、消费电子设备、半导体、电缆和连接器等)造成了深远的影响。
通过这次网络研讨会,你将:
  • 学习HDMI 1.4规范的关键特性、向消费者提供的优点以及从SoC开发人员角度看实现这些新特性所面临的挑战。
  • 理解HDMI以太网和音频回传通道(HEAC)特性如何能使一台具有互联网功能的HDMI设备与其它HDMI设备共享其互联网连接,并且不需要使用单独的以太网电缆。
  • 了解新思公司为HDMI开发的DesignWare TX和RX IP解决方案,以及为SoC设计人员提供的实现选择。
 
 
Keithley

内容介绍:相变存储器(Phase Change Memory),一个非挥发性计算机存储器也被称为PRAM、PCM 和 PCRAM,是一种新颖且前景看好的技术。 PRAM 使用具有独特行为的硫化玻璃,当给予特定应用的热能,可以使它在结晶和无定形两个状态之间切换。最近的技术可以再增加两个不同的状态,使存储容量加倍。
这个研讨会将提供PRAM存储器组件的物理原理和操作的基本概念。内容包括存储器组件的一般特性和测量技术的近况与比较,其中的R - Load方法和技术采用吉时利ultra-fast IV测试机台。
目标听众:这次研讨会主要针对初始接触PRAM存储器测试的测试工程师和测试工程经理,同时对有经验的工程技术人员也会有相当的帮助。
 
 
ADI

内容介绍:本次研讨会主要介绍SHARC浮点处理器新成员SHARC ADSP-2147x 和ADSP-2148x系列芯片级别的特性,在低成本,低功耗方面的新特性,同时也秉从了SHARC处理器的强大的浮点处理性能,一流的性价比,大的片上存储器和丰富灵活的外设接口。通过新引入的这2款新的SHARC 处理器成员,ADI 的SHARC处理器能够满足从低功耗到低成本,高处理性能设计等各种应用场景,为产品设计者扩大了可选的范围。同时,我们还将介绍一些SHARC相关的的开发工具,以及我们第三方的产品和方案,所提供的支持和培训,这些都能够帮助客户减少开发的成本和时间,并使其产品成为世界一流的信号处理设计。
 
 
Xilinx

内容介绍:通过提供一个完整而全面的连接平台,利用有针对性的目标参考设计进行设计、开发和调试,赛灵思将大大简化并加速高带宽应用系统设计的实现。
参加此次研讨会,您将了解通过赛灵思连接套件实现的目标参考设计,将如何通过为端到端系统应用提供一个完整的设计流程迅速启动应用开发。该流程包括硬件、设计、RTL源文件、同步环境、实现流程和脚本,以及软件设备驱动器源文件,性能/状态监控应用和文件。
 
 
Mentor Graphics

内容介绍:跨国企业内部的电子设计团队面临诸多艰巨的挑战,包括知识产权管理、供应链集成以及多个地点的协作。

使用Expedition Enterprise,公司可以充分利用内部的多学科设计团队资源,创建和访问全球性知识产权,从而有效地解决这些挑战。

你能从中学到什么
  • 管理和利用库、约束和设计块形式的知识产权
  • 在公司内部集成PCB设计过程的技术
  • 在设计团队内部以及跨多学科团队的合作方法,包括电子/机械、FPGA/PCB、射频/模拟/数字和设计/制造等
 
 
Ramtron

内容介绍:今日的技术创新强调高性能以及低环境影响。此网络广播谗述F-RAM和BBSRAM存储器的功能和设计差异。更具体地说,经由语音图像来介绍F- RAM如何提供具有前瞻性与成本效益又环保的BBSRAM替代方案来减低系统的复杂性和维护。
虽然BBSRAM易于使用且具有高耐用性和快速的写入功能,但是最大的缺点是,BBSRAM需要电池来保存数据,这是对环境的危害,以及系统设计的障碍。作为一个成熟的半导体技术,F-RAM提供非常快速的写入速度,高耐用性,和超低功耗。此外,其天生的非易失性令F-RAM像SRAM,但在停电时不需要电池或电容来保存其数据。在没有电池的情况提供了工程师重要的设计和功能优势。
申请观赏这个深入研究F-RAM和BBSRAM的比较来学习了解这两种高性能非易失性存储器在功能和设计方面的差异与选项,以及它们的相对生态,金融和性能因素。
 
 
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问答精选
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face Q:PCM,其特有的应用特性有哪些?

face A:PCM特有的位改写,百万次的读写次数以及随着工艺改进以后的成本和功耗......

 
 
[主题智慧型可调光节能灯解决方案

face Q:PIC12F615的供电电压范围是怎样的?它的供电是如何解决的?

face A: PIC12F615的供电电压范围是2.0V~5.5V,它的供电是由......

 
 
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face Q:变相存储器颗粒的封装形式有哪些?

face A:目前提供有并行的TSOP封装和串口的SOIC16