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隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
时间:2012年06月19日
时间:2012年06月19日
内容介绍:功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动器能被广泛的接受和使用,这不仅是因其所具有的高输出电流驱动能力,及开关速度快等长处之外,更重要的,它也具有保护功率器件的所需功能。这些功率器件的保护功能包括欠压锁定(UVLO),DESAT检测,和有源米勒钳位。在电力转换器,电机驱动,太阳能和风力发电等系统的应用上,所有这些保护功能都是重要的,因它确保这些系统能安全和稳定的操作。另外,能把握如何正确的选用,设计这些光耦栅极驱动器来有效的使用/控制这些功能使到整个系统更简单,高效,可靠,是系统设计工程师不可或缺的技能!

内容介绍:在电机驱动中准确地检测电机的相位电流并传送到控制器是非常重要的。隔离放大器与分流电阻器协同工作,即使在噪声环境下亦能提供精确的电流测量。这种器件包括一个内置AD转换器,并结合稳健可靠的光耦合技术以实现高增益精度和共模噪声抑制。
典型应用包括电动机相电流检测、直流母线电流检测、逆变器电流检测及通用电压检测。相较于传统的霍尔效应传感器或电流互感器,隔离放大器检测方案提供了一个尺寸更小、测量精度更高、成本更低的解决方案。
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