内容介绍：本次研讨会将以霍尔效应的测量为主题，介绍它们与半导体材料和器件特征分析的关系。霍尔效应测量系统通常用于测量半导体参数，例如载流子迁移率和载流子浓度、霍尔系数和导电率以及导电型。 参加本次研讨会可以了解到：  •  什么是霍尔效应测量？  •  哪些人员会用到霍尔效应测量？  •  推动霍尔效应测量需求的行业趋势是什么？  •  在选择霍尔效应测量所需的设备时应注意哪些关键问题？  •  什么技术有助于确保高质量测量？
目标听众： 建议研究纳米材料等新材料电气特性的材料学家和物理学家，及进行太阳能/光伏应用薄膜开发，从事复合半导体材料工作，或研究碳基器件特性的工程师、材料学家和物理学家，以及特性分析实验室的全体管理人员和半导体材料和测试新手参加本期研讨会。

内容介绍：本期研讨会旨在帮助可靠性工程师理解和运用超快I-V方法实现先进偏压温度不稳定性（BTI）的测量。此研讨会的第一部分详细分析了当前超薄薄膜晶体管正BTI和负BTI（PBTI和NBTI）原理的相关理论。第二部重点介绍了测量挑战并且定义了捕捉性能退化和恢复的最佳超快I-V测量方法。参加研讨会的网友将了解： • NBTI和PBTI建模的现有理论  • 分析BTI性能退化和恢复的相关挑战  • 建模和过程控制的先进测量技术  • 超快I-V测量的限制，包括约翰逊噪声等  • 测量系统性能分析的诀窍
目标听众：本期在线研讨会的目标听众是从事半导体可靠性分析工作的人员。该研讨会材料对致力于超薄薄膜晶体管可靠性研究，负责开发测试系统和方法的学生、技术人员、工程师和实验室管理人员有较大帮助。

内容介绍：电阻率是材料的基本特性并属于常规的电测量项目。具体采用的测量方法取决于材料类型是导体、绝缘体还是半导体。本期研讨会详细说明了为获得最佳测量结果使用的各种电阻率方法和技术。
与会听众将了解整块材料的电阻率测量基础。测量方法的变化取决于材料是导体、绝缘体还是半导体。一些具体测量方法包括金属材料的四线电阻测量，绝缘体材料的体电阻率和表面电阻率测量，以及半导体材料的4点共线探测和范德堡测量法。除讨论这些测量方法之外，还详细介绍了与这些方法有关的测量技术。讨论的测量技术和误差源包括静电干扰和屏蔽、漏电流和防护、热电EMF和失调补偿等。除使用正确的方法和技术以外，还必须使用合适的仪器完成所需测量。
目标听众：
推荐参加本期研讨会的观众是：需要对太阳能电池、塑料、纸张、轮胎、半导体等产品进行电阻率测试的材料研究人员、研究实验室、物理学家、大学和公司。