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主题:
闪存测试的新方法
内容介绍:虽然闪存技术已经广泛应用,但是诸如多电平单位(MLC)等连续的研究进展的目标是实现更高的密度。同时,也出现了新的测量技术和功能:从用于开发的单颗晶体管分析到用于闪存生产的集成方案和自动化方案。
本期在线研讨会将首先回顾闪存技术测试基础,然后讨论FN(Fowler-Nordheim)和HEI(热电子注入)写入和擦除。接着讨论用于单颗闪存晶体管和闪存阵列测试的不同方面,包括标准晶体管特性分析、耐力和干扰测试。还将讨论MLC测试的脉冲保真度要求。这些应用的验证将使用吉时利最新的超快I-V测试方案以便更好地控制脉冲形状和幅度,进而非常适合于MLC闪存测试,并使用吉时利ACS软件以便管理测试场景的范围。
目标听众:
本期在线研讨会适合想了解闪存测试设置的人士和寻求测试方案的朋友参加。

主题:
超快I-V器件特性分析基本原理
内容介绍:本期在线研讨会探讨在组件和工艺技术中日益重要的超快电流-电压(I-V)特性分析。常见应用包括闪存和相变存储器等非易失存储器(NVM)、绝缘体上硅(SOI)器件与复合半导体的等温特性分析以及高k电介质等新材料的瞬态特性。
超快I-V器件特性分析基础将主要介绍测量硬件和设置,包括探测台的接线。本期研讨会还将讨论典型的测试设置和常见误差源。最后,将给出一些器件测量的实例。
目标听众:
涉及材料、工艺和器件特性分析的学生、研究人员和工程师
需要了解这种有用的测量技术的实验室主管
负责器件和材料可靠性研究(WLR、ESD、闩锁效应latchup等)的工程师

内容介绍:相变存储器(Phase Change Memory),一个非挥发性计算机存储器也被称为PRAM、PCM 和 PCRAM,是一种新颖且前景看好的技术。 PRAM 使用具有独特行为的硫化玻璃,当给予特定应用的热能,可以使它在结晶和无定形两个状态之间切换。最近的技术可以再增加两个不同的状态,使存储容量加倍。
这个研讨会将提供PRAM存储器组件的物理原理和操作的基本概念。内容包括存储器组件的一般特性和测量技术的近况与比较,其中的R - Load方法和技术采用吉时利ultra-fast IV测试机台。
目标听众:这次研讨会主要针对初始接触PRAM存储器测试的测试工程师和测试工程经理,同时对有经验的工程技术人员也会有相当的帮助。
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演讲资料、问答精选
Q:PCM,其特有的应用特性有哪些?
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