内容介绍：“相变存储器技术引发存储器系统创新设计”是美光举办的第三场相变存储器网络研讨会，在前两场研讨会上，美光概述了下一代存储器技术PCM，并论述了PCM技术独一无二的可靠性。现在，让我们一同探讨PCM的独有功能，了解如何运用不同的系统设计方法设计现有的存储器系统。本场研讨会将帮助观众深入了解如何利用PCM存储器简化存储器系统设计，节省成本，提高效益。

内容介绍：相变存储器的存储单元是由化合物存储单元和选通晶体管两部分共同组成。由于这一特殊结构，相变存储器在数据保持方面具有与擦写次数的不相关性，而与环境温度相关的特性。在写入次数方面，10~100倍于今天的NOR和NAND型的存储器。同时具有对读取和写入干扰的免疫性。
在本次网络研讨会中，我们通过实验数据和理论分析，向您介绍相变存储器的可靠性知识，带领您深入了解这一存储技术，帮助您更好的评估PCM对系统设计的影响。

内容介绍：虽然闪存技术已经广泛应用，但是诸如多电平单位（MLC）等连续的研究进展的目标是实现更高的密度。同时，也出现了新的测量技术和功能：从用于开发的单颗晶体管分析到用于闪存生产的集成方案和自动化方案。
本期在线研讨会将首先回顾闪存技术测试基础，然后讨论FN（Fowler-Nordheim）和HEI（热电子注入）写入和擦除。接着讨论用于单颗闪存晶体管和闪存阵列测试的不同方面，包括标准晶体管特性分析、耐力和干扰测试。还将讨论MLC测试的脉冲保真度要求。这些应用的验证将使用吉时利最新的超快I-V测试方案以便更好地控制脉冲形状和幅度，进而非常适合于MLC闪存测试，并使用吉时利ACS软件以便管理测试场景的范围。
目标听众：
本期在线研讨会适合想了解闪存测试设置的人士和寻求测试方案的朋友参加。

内容介绍：随着全球对原油需求的增长，地球气温上升。人们对环保意识的提升，新的替代能源利用。本次研讨会将重点介绍基于TI在高串动力电池系统应用解决方案，探讨TI在BMS新的技术，方便你对方案的选择，能更好的优化你的系统。
通过本次研讨会让你能了解TI以及新晔电子在BMS里有强大的技术支持和好的解决方案帮到你的设计。
本次研讨会重点介绍BQ246xx高串数LiFePO4(磷酸铁锂电池)充电器方案和BQ78PL114,BQ76PL53X好的保护，Power Pump技术平衡以及阻抗跟踪电量计量。

内容介绍：相变存储器是指一类基于相变材料存储信息的非易失存储器。相变存储器利用相变材料在两种状态下电阻值的变化存储信息。融NOR、NAND、RAM和EEPROM四大主流存储技术的优点于一身. 相变存储器提供位可修改、非易失性、高可靠性、向下工艺延展和快速写入等创新特性。
美光将连续举办3场网络研讨会，第一场将简要介绍相变存储器的基本原理、技术特性，以及这项新技术给存储系统带来的好处。接下来的两场研讨会将详细介绍相变存储器的优点和特性。

内容介绍：体积小巧，接口简单，设计容易，串行闪存被用于多个市场。但是，随着应用复杂程度不断提高，为满足新应用的性能要求，存储器亟待提高相关性能。几年来，受限于存储器的总体性能，特别是读写速度，采用串行闪存的应用设计遭遇巨大的挑战。
为了解决这个问题，提高存储器性能，各路存储器厂商纷纷开始研发两位和四位输入输出功能。
除多位输入输出外，恒忆还为客户带来在市场上独一无二的前沿功能，让您的应用设计实现效益最大化。欢迎参加本次在线研讨会，了解如何利用恒忆的非易失性配置寄存器和片内执行（XIP）两大独特功能提高存储器性能。
2010年5月7日，美光科技(Micron Technology,Inc.,)宣布完成对恒忆科技 (Numonyx B.V.)的收购。 Micron 是世界领先的先进半导体解决方案提供商之一。Micron依托全球性运营，制造和销售一系列DRAM、NAND和NOR闪存、以及其他创新存储技术、包装解决方案和和半导体系统，用于前沿计算、消费、联网和移动产品。

内容介绍：本期在线研讨会探讨在组件和工艺技术中日益重要的超快电流-电压（I-V）特性分析。常见应用包括闪存和相变存储器等非易失存储器（NVM）、绝缘体上硅（SOI）器件与复合半导体的等温特性分析以及高k电介质等新材料的瞬态特性。
超快I-V器件特性分析基础将主要介绍测量硬件和设置，包括探测台的接线。本期研讨会还将讨论典型的测试设置和常见误差源。最后，将给出一些器件测量的实例。
目标听众：
涉及材料、工艺和器件特性分析的学生、研究人员和工程师
需要了解这种有用的测量技术的实验室主管
负责器件和材料可靠性研究（WLR、ESD、闩锁效应latchup等）的工程师

内容介绍：为了解决当下无线基带或者多媒体处理的大量运算要求，嵌入式处理器的并行处理能力以及复杂度不断增加。这也直接导致基于其上的编程复杂性大大增加，给嵌入式软件开发周期的控制带来非常大的挑战。
检验编写的代码效率的一个主要指标就是要看生成代码对架构特性的支持程度。一般情况下代码的优化需要的时间最长，如果没有好的开发优化流程的帮助，软件开发的时间和风险就会大大增加。
在这次讲座中，我们将会为你介绍当下嵌入式软件开发面临的最新挑战，然后会展示一套智能的开发优化流程来帮助你以最短的开发时间，最小的风险达成软件开发优化的目标。
这次讲座中，你会了解到：
1.  简介当下先进无线基带和多媒体处理的架构演进趋势
2.  嵌入式软件开发的主要挑战
3.  如何有效利用你的软件开发环境以最低的成本取得最好的结果
4.  如何基于纯C开发流程针对嵌入式架构实现高度优化的结果

此次讲座适合任何基于嵌入式架构开发软件的工程人员。

内容介绍：相变存储器(Phase Change Memory)，一个非挥发性计算机存储器也被称为PRAM、PCM 和 PCRAM，是一种新颖且前景看好的技术。 PRAM 使用具有独特行为的硫化玻璃，当给予特定应用的热能，可以使它在结晶和无定形两个状态之间切换。最近的技术可以再增加两个不同的状态,使存储容量加倍。
这个研讨会将提供PRAM存储器组件的物理原理和操作的基本概念。内容包括存储器组件的一般特性和测量技术的近况与比较，其中的R - Load方法和技术采用吉时利ultra-fast IV测试机台。
目标听众：这次研讨会主要针对初始接触PRAM存储器测试的测试工程师和测试工程经理，同时对有经验的工程技术人员也会有相当的帮助。

内容介绍：今日的技术创新强调高性能以及低环境影响。此网络广播谗述F-RAM和BBSRAM存储器的功能和设计差异。更具体地说，经由语音图像来介绍F- RAM如何提供具有前瞻性与成本效益又环保的BBSRAM替代方案来减低系统的复杂性和维护。
虽然BBSRAM易于使用且具有高耐用性和快速的写入功能，但是最大的缺点是，BBSRAM需要电池来保存数据，这是对环境的危害，以及系统设计的障碍。作为一个成熟的半导体技术，F-RAM提供非常快速的写入速度，高耐用性，和超低功耗。此外，其天生的非易失性令F-RAM像SRAM，但在停电时不需要电池或电容来保存其数据。在没有电池的情况提供了工程师重要的设计和功能优势。
申请观赏这个深入研究F-RAM和BBSRAM的比较来学习了解这两种高性能非易失性存储器在功能和设计方面的差异与选项，以及它们的相对生态，金融和性能因素。